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闪存工艺嵌入式英飞凌许可IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

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英飞凌(InfineonTechnologiesAG)日前表示,已同意向IBM提供使用其嵌入式闪存制造工艺的许可。IBM将在北美使用这种130纳米工艺。英飞凌表示,它将使用IBM的代工服务生产未来基于此工艺的产品。

英飞凌的上述130纳米嵌入式闪存工艺于2006年初开始在英飞凌的工厂中实现量产,用于生产从汽车系统到智能卡等应用的微控制器芯片。
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英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管PeterBauer表示:“通过这项合作,英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值,获得了新的批量制造伙伴,而且加强了我们与长期伙伴之间的工作关系。”

“通过与英飞凌合作,我们拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。”IBM全球工程解决方案部门的半导体副总裁SteveLongoria表示。“这项许可协议利用了我们现有的技术基础,而且补足了我们的模拟与混合信号专门技术。”

上述工艺的整合与验证工作已开始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圆厂进行,计划在2008年下半年推出初步设计工具。


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