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器件双晶电压适用于超便携式电子产品的小型SOT963封装器件

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Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件,性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。

Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2,比SOT723封装少30%,比SOT563封装少60%,适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度,让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。

现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOSFET 组合及1个4线配置瞬态电压抑制器阵列DUP412VP5。这些器件的引脚封装支持手焊及目测,无需X光检测。

采用SOT963封装的双晶体管包括双NPN、双PNP和互补NPN-PNP配对,额定集电极-发射极电压 (VCEO) 为 40V 和45V。双N 型 、双P型及互补 MOSFET 组件的额定崩溃电压 (BVDSS) 为20V,额定导通电阻 (RDS(ON)) 都在1.5V 下测量。


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