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三星纳米厂商DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星

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据IHS公司的DRAM市场报告,随着DRAM价格降到了极低水平,如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程,可能面临重大亏损,三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。

三星将保持业内领先地位,到2012年底,它将把将近80%的晶圆生产转向3x纳米或者更先进的制程。海力士想赶上来,但将落后一个季度。尔必达也努力快速追赶,尽管其25纳米产品仍处于早期的验证阶段。

目前处于落后地位的美光和南亚科技,将在明年底以前不断追赶。这两家公司的主要产品目前都依赖仍然可行的42纳米工艺,该工艺的成本可行性可能只保持到今年,然后必须加快向3x纳米的迁移速度,以保持竞争力。

由于目前DRAM价格处于低位,力晶等业内仍然在采用4x/5x纳米工艺的其它厂商,收回现金成本的可能性将不断下降。目前31纳米2Gb DDR3封装裸片的单位现金成本是0.68美元,但48纳米工艺就会上升到1.34美元。预计DRAM平均销售价格会进一步下滑,第四季度可能降到1.25美元,所以继续采用4x纳米工艺将面临灾难。

出路很明显:如果想走在不断下滑的价格前面,厂商必须迅速采取行动并转向更先进的工艺。不幸的是,此举也有副作用:随着业内厂商努力缩小制程,单位晶圆将生产出更多的DRAM,最终会进一步打压价格。

然而,其它赶超方法很少。美光采取的一种策略,包括让客户基础多样化,以化解一些价格风险。但是,不是所有厂商都能采用这种方法,也不是所有厂商都能涉足多样化市场。由于落后者的利润继续蒸发,这些厂商最终可能被收购甚至被淘汰。


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